技術文章/ article
少子壽命的定義和重要性?12?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導體中產生直到消失的時間。它是半導體材料和器件的一個重要參數，直接影響器件的性能。少子壽命越長，器件的性能越好。影響少子壽命的因素影響少子壽命的因素主要包括有害的雜質和缺陷。去除這些雜質和缺陷可以延長少子壽命，而加入能夠產生復合中心的雜質或缺陷則會縮短少子壽命。例如，摻入?Au、?Pt或采用高能粒子束轟擊等都會減少少子壽命。少子壽命的測試方法和應用少子壽命的測試采用了?準穩態光電導（?QSSPC）等方法...
??霍爾遷移率（Hallmobility）是指?Hall系數RH與電導率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱為霍爾遷移率。?表示為μH=│RH│σ。?12霍爾遷移率μH實際上不一定等于載流子的電導遷移率μ，因為載流子的速度分布會影響到電導遷移率，所以只有在簡單情況（不考慮速度分布）下才有μH=μ。霍爾遷移率是測試射頻氮化鎵芯片使用。“碳化硅的電子遷移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000”看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一...
方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。方塊電阻有一個特性，即任意大小的正方形測量值都是一樣的，不管邊長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導電膜的厚度等因素有關，表征膜層致密性，同時表征對熱紅外光譜的透過能力，方塊電阻...
渦流法電阻率是一種非接觸式的測量方法，主要用于測量材料的電阻率而不會損傷被測物體的表面。?這種方法基于電磁感應原理，通過檢測材料中的渦流來評估其電阻率。渦流法電阻率測量技術的原理是：當交變電流通過導體時，會在其周圍產生一個交變磁場，這個磁場會在導體表面產生渦流。這些渦流會產生一個反作用磁場，通過探測這個反作用磁場，可以計算出材料的電阻率。這種方法具有無接觸、精度高、成本低、檢測速度快等優點，特別適用于惡劣環境下的測量?。渦流法電阻率測量技術的應用非常廣泛，包括半導體、化合物半...
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