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在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公司特點非接觸霍爾遷移率（Hall mob...

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

即少數載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子（因為只有少數載流子才能注入到半導體內部、并積...

外延電阻率方阻測試儀：外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來在外延層上注入基區、發射區等等...

襯底電阻率方阻測試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結構的底層材料。襯底的物理性質包括其晶體結構、機械強度、熱導率、膨脹系數等，而化學性質則涵蓋其純...

玻璃方阻測試儀應用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數，這個參數就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。

金屬薄膜方阻測試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單...

氧化鎵電阻率方阻測試儀：Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器

氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。

碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關，還和導體的溫度有關。在溫度變化不大的范圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是攝氏溫度，ρ0是O℃時的電阻...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積。可以看出，材料的電阻大小與材料...

硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積。可以看出，材料的電阻大小與材料...