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非接觸方阻測(cè)試儀在半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)中的作用
非接觸電阻率測(cè)試儀:電氣材料特性的新一代測(cè)量工具
遷移率測(cè)試儀:準(zhǔn)確的遷移速率數(shù)據(jù)
產(chǎn)品中心/ products
我司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,主營(yíng)非接觸方阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀,遷移率(霍爾)測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀,表面光電壓儀JPVSPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。
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主營(yíng)產(chǎn)品:非接觸方阻測(cè)試儀、非接觸式無損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀,遷移率(霍爾)測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀,表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。
憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。
主要應(yīng)用領(lǐng)域:碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。
非接觸方阻測(cè)試儀特性:
方塊電阻有一個(gè)特性,即任意大小的正方形測(cè)量值都是一樣的,不管邊長(zhǎng)是1米還是0.1米,它們的方阻都是一樣,這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān),表征膜層致密性,同時(shí)表征對(duì)熱紅外光譜的透過能力,方塊電阻測(cè)量數(shù)值愈大,則隔離熱紅外性能越差,方塊電阻測(cè)量數(shù)值愈小則隔離熱紅外性能越好,對(duì)于建筑行業(yè)來講低輻射玻璃的熱紅外性能測(cè)量的快速測(cè)量就必須選用方塊電阻測(cè)量?jī)x,測(cè)量值愈小則建筑材料就愈節(jié)能,在建筑材料行業(yè)具有很大的作用。
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